MHIさんが昨年のオフ会に持参されたV-FETアンプに触発されたことは以前に書いた。このところV-FETの回路の検討をしてきたが、オールFET 純コンプリメンタリーSEPP V-FETパワーアンプが完成した。このアンプはΛコンさんのサイトにある「スケルトン２」を若干モディファイしたものである。アンプ基板のパーツ配置図と配線図はココ
出力のV-FET、2SK60と2SJ18を配線する前に、前段だけ通電してV-FET2個のゲート間電圧（バイアス）を測定した。図中のバイアス調整回路2SC2856のベース・コレクター間の抵抗には、当初6.2Kの固定抵抗＋3Kの半固定抵抗を使っていた。この定数でバイアス電圧は-18V程だったのでいきなり過大なドレイン電流が流れる心配もないと思い、まず片chを配線して、0.47Ωの測定用抵抗の両端電圧から電流値を見ると、なんと700mAも流れる！
6.2kの固定抵抗を8.2kに変更して再測定するも3Kの半固定を最大にしても250mAも流れる。再度10Kに変更、これで上手行った。現状では80mAを流している。もっと少なくすることも出来る。
3時間ほど聴いただけだが深い低音に驚く。音場感が過去のアンプより桁違いに良くて音場がSPの外側にも拡がる。これは良いアンプです。
2SK60/2SJ18のランクは3〜8までに分かれており、当時のSONY製アンプには4〜7までが使用されているようだ。私は2台のアンプをドナーとして購入したが、一台はJ56、もう一台はJ57と書いていた。パーツとして入手した2SJ18はJG-53である。ランクによってバイアス値も当然違うと思う。今回使用したV-FETはJ56を使用。このあたりの参考になるSONYの資料をココに置いておく。
アンプ部
電源部
測定中
V-FETを使った製作記事リンク
諏柄 渤人(スガラボット)のアンプづくり
Ｖ−ＦＥＴ完全対称型パワーアンプ（ちょっとＢ−１？タイプ）を実験する
スケルトン２（オールＦＥＴピュアコンプリメンタリーＳＥＰＰ Ｖ−ＦＥＴアンプ）
Ｖ−ＦＥＴ完全対称アンプ
電流正帰還Ｖ−ＦＥＴアンプ
回路の錬金術パート２
