MHIさんのLH0032パワーアンプを製作中だが寄り道してしまった。出力段にMOS-FETを使ったパワーアンプである。
金田式はA級30W、AB級100W、電池式6chアンプ等種々過去には作ったが、No.130前後のMOS-FETアンプは未製作。電圧増幅段をほぼそのまま利用したV-FETアンプが愕然とするくらい良かったので期待が持てる。また、DCアンプマニアさんのblogを拝見すると再製作してとても具合が良いらしい。
７本拠りは面倒だし時が経つと錆びるので、例によって基板を使用する。
この基板は以前にMHIさんに作ってもらったもので、用途によって配線を変えたり基板後部の万能部を利用することによって、MOS-FET、V-FET、MOS-FETドレイン出力のどれにも対応している基板だ。
ただ、初段の定電流回路は記事に従ってP-ch FETの2N5465を使用することになっているが、同FETは信頼性が低く入手も困難なので、V-FETアンプスケルトン２で使用したN-chFETの2SK117とした。よって基板を裏側でいじってある。またIdssを測定して調整用抵抗は固定抵抗としてある。NFB抵抗と対アース抵抗は交換も考慮して基板裏側に取り付ける。
出力FETとして、金田氏の記事では日立のMOS-FET、2SK134/2SJ49を使用することになっているが、上位品種で在庫している2SK176/2SJ56を使う予定。
